非破壞性碳化矽晶錠缺陷檢測技術
技術介紹:
1.非破壞性檢測：不需切開晶體即可掌握內部缺陷狀況2.AI智慧辨識：結合AI快速分析缺陷位置與類型
3.高精度缺陷檢測：可檢測50微米微管誤判率低於10%提升品質良率
產業應用性:
為解決過去需切開晶體或等後段製程才能檢測的限制，工研院成功開發台灣首套非破壞性SiC晶錠缺陷檢測技術，透過X光層像掃描結合AI辨識，不需切開晶體，就能直接找出內部缺陷，將品質把關提前到材料源頭。最新技術可檢測50微米微管缺陷，誤判率低於10%，並有效縮短檢測時間、降低成本。本技術可協助業者更早篩除不良品、提升良率，並為台灣第三代半導體產業建立更完整的自主檢測能力。
財團法人工業技術研究院
工業技術研究院是國際級的應用研究機構，擁有六千五百位尖兵，以科技研發，帶動產業發展，創造經濟價值，增進社會福祉為任務。自1973年成立以來，率先投入積體電路的研發，並孕育新興科技產業；累積超過三萬件專利，並新創及育成，包括台積電、聯電、台灣光罩、晶元光電、盟立自動化、台生材等上市櫃公司，帶動一波波產業發展。
