氮化鎵(GaN)電源技術晶片於高效率乙太網路供電(PoE)交換器及電力電子產品應用開發計畫
技術介紹:
此技術為導入 GaN HEMT 技術之 PoE 電源供應模組，整合 Totem-Pole PFC 與高頻 GaN CLLC 架構，目標提供輸出功率500W、轉換效率92%與功率密度 16W/in^3。透過高速切換、低損耗與小型化設計，可降低 AI 資料中心機櫃網路設備之供電損耗與散熱負擔，適用於 PoE Switch、AI Server Rack 及高效率網通電源應用。
產業應用性:
隨著半導體製程設備、AI 資料中心以及高功率工業電子系統的用電需求持續增加，電源轉換系統的效率、功率密度與動態響應能力已成為重要研究議題。傳統電源架構通常包含多級 AC/DC 與 DC/DC 轉換，每一級轉換皆會產生功率損耗。因此，本技術應用氮化鎵晶片提高整體電源轉換效率，適合應用在需要高功率轉換的場合，像是AI資料中心、高功率工業電子系統等場合。
易達通科技股份有限公司
易達通科技股份有限公司是一家集研發與生產一體化的高科技半導體企業， 提供高品質且具有自主智慧財產權的氮化鎵（GaN）與砷化鎵（GaAs）射頻晶片和功率元件。產品適用於5G/Wi-Fi/衛星無線通信射頻設備、電動車與工業電源轉換設備。
專利資訊：
I847591
