單晶成長採用可程式真空封管技術,由可程式圖型面板控制器來控制氣動閥門,每次抽破真空只配合氬氣進入石英管,不去破壞整體擴散幫浦的真空狀態,因此能維持高真空達2~3x10-6 Torr,封管後將二支石英管置於水平三段高溫爐,溫度梯度設1060 --> 1000 °C,14天可長成高純度大又厚的層狀單晶。ReS2與ReSe2具備了三斜晶低對稱性,因具有共面非對稱性可有5組能隙激子發光,為E1ex, E2ex, E3ex, ES1ex 與 ES2ex且為不同軸向的線性偏振光,可製做多波長紅外線發射器光源,目前世界上除了我們的晶體外皆只能有E1ex與 E2ex的2個激子發光,這驗證了我們的晶體成長技術。1.可提供塊材ReS2,ReSe2和ReS2(1-x)Se2(x)不同成分之(大)層狀單晶
2.可技術移轉本實驗室真空封管暨晶體成長技術
3.可代為設計並製做原型電子與光電元件
4.可提供二維半導體材料與元件之光電特性與品質檢測之服務
國立台灣工業技術學院成立於民國六十三年八月一日,為我國第一所技術職業教育高等學府以招收大學部學生為主。建校之目的,在因應我國經濟與工業迅速發展之需求,以培養高級工程技術及管理人才為目標,同時建立完整之技術職業教育體系。於六十八年及七十一年起分別設置碩、博士班,八十六年改名為「國立臺灣科技大學」。本校校地含臺北總校區、公館新校地、土城野外試驗場、基隆坡地工程研究試驗站及新竹分部,目前校地面積34.3公頃,校舍建築總樓地板面積24萬9,111平方公尺,校本部位於臺北市基隆路四段43號。至112學年度大學部學生約5,593位,研究生約6,079位,專任(含專案)教師約548位。
技術成熟度:試量產
展示目的:可交易技術、商機推廣、研發成果展示
流通方式:技術授權/合作
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