單晶成長採用可程式真空封管技術，由可程式圖型面板控制器來控制氣動閥門，每次抽破真空只配合氬氣進入石英管，不去破壞整體擴散幫浦的真空狀態，因此能維持高真空達2~3x10-6 Torr，封管後將二支石英管置於水平三段高溫爐，溫度梯度設1060 --> 1000 °C，14天可長成高純度大又厚的層狀單晶。ReS2與ReSe2具備了三斜晶低對稱性，因具有共面非對稱性可有5組能隙激子發光,為E1ex, E2ex, E3ex, ES1ex 與 ES2ex且為不同軸向的線性偏振光，可製做多波長紅外線發射器光源，目前世界上除了我們的晶體外皆只能有E1ex與 E2ex的2個激子發光，這驗證了我們的晶體成長技術。1.可提供塊材ReS2，ReSe2和ReS2(1-x)Se2(x)不同成分之(大)層狀單晶
2.可技術移轉本實驗室真空封管暨晶體成長技術
3.可代為設計並製做原型電子與光電元件
4.可提供二維半導體材料與元件之光電特性與品質檢測之服務