本技術發明一種可大面積合成高品質石墨烯的方法，以高密度繞捲，搭配所發展的柔性隔絕層構件擴散層，克服所成長之基材因高溫而黏合的問題。此技術操作簡單、輕便的反應構件，提高批次生產石墨烯的產量，達到工業化與市場化之需求。本技術也成功發展高品質之六吋石墨烯晶圓，延伸於磊晶基板和癌症感測晶片之應用端產品。本技術的突破性在於，以現有設備來獲得最有效益的大面積合成，利用本技術所提出之隔絕層的高密度繞捲方式可以規模化成長石墨烯，且具有良好的品質，片電阻約為750 Ω/sq ，缺陷密度約為2.43×1012 cm-2。當腔體直徑達8 inch時，產率即可由文獻所提出的5.3 m2/h提升至6.7 m2/h。1.石墨烯具高透光度(光穿透率為97%)與高導電性且具可撓性，可應用於超高透明導電薄膜。
2.石墨烯為單一原子層，對表面電荷的轉移變化很靈敏，表面容易進行化學修飾，可結合電路設計開發靈敏度極高的生物感測器。
3.將大面積石墨烯轉移至矽基板，有助於GaN在其表面進行磊晶，應用特定利基型光電電子元件。