高崩潰電壓HEMT元件
針對GaN-on-Si基板的磊晶片結構改良及HEMT元件製程優化來達成崩潰電壓>1200V之GaN HEMT元件
國立陽明交通大學（NYCU）於2021年由國立陽明大學與國立交通大學合併而成，位於新竹市。學校擁有強大的科技、工程、醫學及社會科學領域，並在資訊技術、生物醫學、人工智慧等領域具有卓越的研究實力。國立陽明交通大學致力於跨領域合作與創新，並培養具全球視野的專業人才，積極應對社會挑戰與推動科技發展，為學術界和產業界作出重要貢獻。
姓名：郭浩中
電話：
地址：新竹市東區博愛街75號
展館別：未來科技館 半導體 FB19
所屬代表參展單位：國家科學及技術委員會
主要應用領域：材料化工與奈米
高壓寬能隙元件於車載轉換器的應用技術
開發快速響應混合型光驅動電致色變元件應用於永續自供電智慧節能窗
防水、透氣、可拉伸、具修復能力之導電紡絲布料於智慧衣物之應用
面向先進電子元件的多相多材料微納增材製造技術
技術成熟度：實驗室階段
展示目的：研發成果展示
流通方式：自行洽談
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