2D NOR 面臨無法再以元件尺寸微縮的手法來增加記憶體密度的窘境 （極限為512 Mb)，藉由記憶體層數3D垂直堆疊創新製程所完成之3D NOR ，一舉切入4Gb密度，其電性表現與2D NOR相匹配，而未來密度的增加僅需增加記憶體層數即可滿足。目前3D NOR產品，全世界僅有旺宏開發，而高密度NOR需求，如5G， 車用電子，人工智慧機器人的應用市場，持續攀升中。
待補
技術成熟度：雛型
展示目的：商機推廣、研發成果展示
流通方式：自行洽談、新產品開發
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