光感測器是物聯網的核心元件,然而大多數只能提供暫態光電流。陳蓉瑶副教授團隊開發的超快速光記憶體具有0.7 ms的光寫入時間,1.91×10^4 mA W^-1的光響應性,以及128階層的記憶功能。此光記憶體結合氫氣變色薄膜,能夠記錄氫氣洩漏週期和濃度,有助於判斷管線洩漏位置,進而改善氣體洩漏情況。
技術成熟度:試量產
展示目的:研發成果展示
流通方式:自行洽談
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