半導體產業大廠持續精進新世代製程(3奈米製程以下)，電晶體將從3奈米製程鰭式場效電晶體(FinFET)，轉變至下世代2奈米製程更複雜之環繞式閘極(Gate All Around, GAA)結構，並於2025年量產。
　針對2奈米GAA製程前段品質，目前國際無可用之商業量測設備進行製程監控、提升良率。傳統量測技術均已面臨瓶頸，如掃描電子顯微鏡(Scanning Electron Microscope, SEM)電子易被深層結構吸收，無法獲得深層CD結構的尺寸;光學關鍵尺寸量測技術 (Optical Critical Dimension, OCD) 則面臨解析度極限與靈敏度不足的挑戰; GAA的CD結構，僅能使用費時(一點需兩小時)且破壞式的量測工具“穿透式電子顯微鏡(Transmission electron microscope, TEM)”進行分析。
　　藉由開發之X光技術可對不同深度材料進行分析之特性，此原理應用在2奈米製程之複雜3D結構GAA。即使樣品使用不同材料，依廠商所提供之資訊，也可求得未知材料線寬。2016年專利率先採用軟X光管作為激發光源，根據繞射原理使得入射角提高，可有效減小X光量測投影面積從平方公分至平方微米等級，符合Die微區量測面積約50 x 50 µm2。