穿隧氧化層鈍化接觸(TOPCon)太陽電池
本技術穿隧氧化層鈍化接觸太陽電池以超薄氧化層及多晶矽層作為背面鈍化堆疊層，可利用既有PERC產線簡單升級。主要關鍵技術在於超薄氧化層及多晶矽層設備及薄膜形成製程，避免使用成本昂貴之電漿輔助化學氣相沉積(PECVD)或反應式電漿沉積(RPD)等設備。目前所開發穿隧氧化層鈍化接觸太陽電池開路電壓大於700 mV，效率達23.5％，為目前最具競爭力商品化高效率太陽電池之一。
姓名：陳松裕
電話：06-3636821
地址：台南巿歸仁區高發二路360號B棟216室
展館別：永續發展館 綠能科技
所屬代表參展單位：經濟部能源署
主要應用領域：綠能與環境
穿隧氧化層鈍化接觸(TOPCon)太陽光電疊焊模組
交指式背鈍化接觸太陽電池 (IBPC)
技術成熟度：試量產
展示目的：可交易技術、可交易專利、研發成果展示
流通方式：自行洽談
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