半導體電晶體介面次奈米檢測：電壓可調式剖面掃描穿隧顯微術
技術介紹:
本技術首次實現對二維半導體元件的原位、原子級/次奈米級電子結構直接表徵，突破傳統量測技術無法深入金屬／半導體介面的瓶頸。藉由剖面掃描穿隧顯微鏡/能譜 (STM/STS) 量測，本研究能以原子級/次奈米級空間解析度直接檢測載子注入行為、電子結構(electronic structure) 與轉移長度 (transfer length, LT)，提供其他技術提供新穎技術提供介面物理圖像，為二維元件接觸微縮極限的釐清奠定關鍵實驗基礎。
產業應用性:
本技術所建立的原子級/次奈米級介面表徵能力，直接對應半導體產業在先進製程節點中最迫切的技術挑戰 ，接觸電阻微縮。隨著二維半導體材料（如 MoS₂、WSe₂）被視為矽基技術的下一世代接班人，金屬／半導體接觸品質已成為元件效能的核心瓶頸。本技術能直接提供晶圓廠製程優化、材料篩選與元件設計所需的原子級/次奈米級物理依據，對等國際大廠及相關設備、材料供應鏈，應具有高度運用價值。
國立臺灣大學
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