異質接面太陽電池電池雖然發展迅速，但是仍然存在許多問題。首先，其生產過程中的每一步製程要求都非常嚴格，比如:非晶矽薄膜生長品質要求很高，所以對前道矽晶的表面清潔淨化技術要求非常高。其次，非晶矽薄膜無法承受較高溫度的後續製程，後道製程必須使用高成本的低溫材料。 而本技術穿隧型異質接面太陽電池：以極薄氧化層取代一般異質接面的本質(intrinsic)非晶矽層，能有更穩定特性表現、成本更低且更適合量產。其主要關鍵在於採用爐管及傳統的濺鍍(Sputtering)技術，避免使用成本昂貴之電漿輔助化學氣相沉積(PECVD)或反應式電漿沉積(RPD)等設備。目前我們已可以製作出開路電壓大於700 mV、效率23%的穿隧型異質接面太陽電池。