本技術穿隧型異質接面太陽電池以超薄氧化層及多晶矽層，以取代傳統異質接面太陽電池的本質(intrinsic)非晶矽層，可利用既有PERC產線簡單升級。主要關鍵技術在於超薄氧化層及多晶矽層設備及形成製程，避免使用成本昂貴之電漿輔助化學氣相沉積(PECVD)或反應式電漿沉積(RPD)等設備。目前所開發穿隧型異質接面太陽電池開路電壓大於700 mV，效率達23.2％，為目前最具競爭力商品化高效率太陽電池之一。
技術成熟度：試量產
展示目的：可交易技術、可交易專利、研發成果展示
流通方式：自行洽談
敬請期待!
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