本團隊自主開發一種新的半導體製程技術與設備，主要在低溫下(<250度)能消除半導體元件中的材料缺陷，進而使半導體元件的特性提升、可靠度改善，該技術已多種半導體元件如LED、GaN 功率元件、SiC MOSFET以及傳統Si元件上進行測試，都有明顯的特性提升效果。本團隊開發低溫缺陷消除技術具有消除半導體元件缺陷效果，提升半導體元件(LED、GaN HEMT、SiC MOSFET)性能與可靠度。相較於過去修補缺陷技術(熱退火)，其使用溫度較低，故可用於後段半導體製程，也能於晶圓完成後再進行處理；在元件表現上，本技術可消除80％缺陷，效果比傳統技術更好。本團隊開發低溫缺陷消除技術能有效消除半導體元件的缺陷。本技術帶入特定化學物質，大幅鈍化材料與元件缺陷，提升元件性能與可靠度。此鈍化處理步驟可以在晶圓製作完成後進行，或是於晶圓製程中進行。在Si MOSFET 、LED、GaN HEMT、SiC MOSFET等元件上包含性能提升、可靠度改善及良率改善。