dFuse OTP之技術簡介:1.為首次發現的創新技術與傳統上OTP的anti-Fuse, eFuse, 和charge-storage儲存機制完全不同;2.具備完整的專利保護;3.與CMOS製程完全相容且不需額外光罩;3.面積更小成本更低;3.已在台灣前兩大foundries試量產成功.dFuse OTP之技術突破:１.編程電壓<４V; 2.編程速度 20奈秒; 3. 讀取速度<10奈秒; 3.記憶窗口>十萬倍; 4.編程電壓與溫度無關; 5.在150度C使用>10年; 6.通過封裝reflow測試; 7.試量產40/28nm OTP晶片成功; 8. 記憶胞大小<0.06平方微米.dFuse-OTP PUFs產業應用性:1.5G-AIOT潛藏巨大資安危機;2.資安已列國家支持產業;3.PUF是資安產業核心硬體關鍵部位;4.OTP-PUF是市場上效能最好且成本最低; 4.40nm dFuse-OTP PUF的馬賽克圖,intra-HD,inter-HD,HW特性均超出業界標準.