本技術描述了一種可以將石墨烯夾在銅互連中的製造方法。通過這種夾層結構，當前成熟的銅互連線微電子工藝技術可以繼續使用，而載流機制是通过石墨烯實現的。因此，這種夾層結構可以降低互連線電阻並增強其電遷移可靠度和散熱能力。工藝技術僅是將銅互連線浸入硫酸銅溶液約10分鐘的附加步驟。在VLSI互連線上進行低溫石墨烯沉積以實現後端工藝兼容性，以及將該石墨烯嵌入VLSI互連線內的方法，從而可以應用標準的成熟互連線工藝。 導電和導熱將通過嵌入的石墨烯進行，與任何金屬相比，石墨烯均具有出色的導電和導熱性，並且石墨烯的電遷移可靠壽命也比銅高出至少三倍。本發明可用於所有互連線，包括集成電路以及印刷電路板。使用本發明的成本低，因為它僅需要硫酸銅溶液的浸沒槽。
由於本發明減小了互連線的電阻並改善了互連線的散熱，因此可以在電子工業中做出重要貢獻。特別是台灣的半導體和印刷電路板行業非常強大，這種發明可以使台灣電子行業受益，並推動該行業領先許多國家。