●技術簡介：
研究主題有先進電源、儲能技術、機電整合、電動車輛、電力控制等。基礎於現有研發基礎，聚焦於能源轉換效率、高電壓充電 (快充)、裝置小型化與輕量化、智慧電源管理方案等，搭配材料輕量化、以開發電源管理方案，進行即時監測電力狀態與充電裝置之適配，大幅提升智慧電力管理之應用，達成智慧城市建立之願景。
●技術之科學突破性：
雙主動全橋式轉換器擁有雙向功率控制、電氣隔離以及零電壓切換等優點。適用於現今分散式電網之輸配電、降低傳統變壓器損耗及體積等需求。為此本計畫提出一高功率雙主動全橋式轉換器，並透過設計儲能電感值及零電壓切換時所需之最低能量來提升電路效率表現。以第三代半導體碳化矽元件實現一輸入輸出電壓範圍皆為750V之直流對直流變壓器(DC-DC Transformer, DCX)，輸出功率15kW，輸入電壓為750 V，輸出功率為15 kW之隔離型直流-直流轉換器。此轉換器於9kW負載時，效率達99.1％；於15kW負載時，效率亦有98.6％，達世界一流水準，將提升產業國際競爭力。
●技術之產業應用性：
全球前十大電源供應器製造廠，有六家企業在台灣，足見我國居有相當產業優勢。而高功率密度電能轉換技術之發展與推廣，將是電源產業發展的一大關鍵。近年來，包括碳化矽(Silicon Carbide, SiC)及氮化鎵(Gallium Nitride, GaN)等寬帶隙(Wide Band-gap, WBG)材料逐漸受到產學界重視與廣泛研究。和傳統矽元件相比較，寬帶隙元件明顯具有高操作溫度、高切換速度及低導通電阻，因此適合高頻操作，減少切換損耗，滿足高效率電能轉換要求。新世代電能轉換器採用GaN元件取代MOSFET或SiC元件取代IGBT，以實現高頻電路設計，滿足輕薄短小實務應用需求。寬帶隙元件專用閘極驅動電路及高頻磁性元件設計，均係下世代電源產業發展所需之關鍵前瞻技術，本產學研發中心積極開發寬帶隙功率元件應用技術，協助產業升級。

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