應用於先進鰭式電晶體邏輯製程三維堆疊超高密度內嵌電阻式記憶體陣列

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應用於先進鰭式電晶體邏輯製程三維堆疊超高密度內嵌電阻式記憶體陣列

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洽商單

技術簡介:
隨著AI與IoT興起，邊緣運算對NVM的需求大增。本計畫提出相容於先進鰭式邏輯製程的三維高密度 1T16R通孔電阻式記憶體 (3D Via RRAM)，具備無需額外光罩、可三維堆疊、高密度等優勢。透過設計與電性驗證展現其穩定性、低功耗與高速特性，適用於未來嵌入式系統的記憶體擴展需求。
產業應用性:
三維堆疊Via RRAM完全相容台積邏輯製程。已於16nm FinFET平台實現0.4 Gb/mm²，優於國際水準，7nm節點具1 Gb/mm²潛力。其高可靠性、快速操作與穩定儲存，適合AI、IoT與嵌入式系統之邏輯NVM IP，具產業應用與技術轉移潛力，對先進半導體發展有高度貢獻。

國立清華大學

國立清華大學（National Tsing Hua University, NTHU）成立於1911年，位於新竹市，是台灣頂尖的研究型大學之一。學校提供多元的學科領域，包括工程、科學、管理、人文等，致力於創新研究與國際化發展。

聯絡人

姓名：林唯華
電話：03-571-5131 #34107
地址：新竹市東區光復路二段101號

其他資訊

展館別：未來科技館半導體&光電與通訊科技 FH04
所屬代表參展單位：國家科學及技術委員會
主要應用領域：電子與光電

位置更多資訊

專利

TWI806812B
- 專利名稱
- 申請國家
- 專利類別
- 專利權人
- 申請號
- 公告號
- 專利名稱
  
  三維電阻式記憶體結構
- 申請國家
  
  台灣/中華民國
- 專利類別
  
  發明(TW,CN)/特許(JP)/Utility Invention(US)
- 專利權人
  
  國立清華大學
- 申請號
  
  TW112107919
- 公告號
  
  TWI806812B

應用於先進鰭式電晶體邏輯製程三維堆疊超高密度內嵌電阻式記憶體陣列

國立清華大學

聯絡人

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專利

專利名稱

三維電阻式記憶體結構

申請國家

台灣/中華民國

專利類別

發明(TW,CN)/特許(JP)/Utility Invention(US)

專利權人

國立清華大學

申請號

TW112107919

公告號

TWI806812B

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