由於手機、車用電子與電動車滲透率逐年提升，促使5G高頻與高功率晶片需求提升，全球半導體廠多已將化合物半導體列為重點發展業務。高溫耐腐蝕之化合物半導體製程用載盤技術，是國內唯一可供CVD SiC 載盤製程，且具有高溫耐腐蝕、膜層平均厚度100±35μm、翹曲度小於500μm，技術水準同步國際，未來還可應於於化合物半導體、半導體與UVC LED等高階關鍵組件，為國內上游關鍵載盤供應鏈，提供完整之自主性與競爭力。
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技術成熟度：試量產
展示目的：可交易技術、商機推廣、研發成果展示
流通方式：技術授權/合作、自行洽談
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