寬能隙元件技術與應用
寬能隙半導體材料具有抗輻射、耐高溫、高頻操作特性,能滿足高頻通訊應用對效率、功率密度、高溫操作要求。中科院執行政府科技專案,發展半絕緣碳化矽長晶、氮化鎵磊晶與元件製程、氮化鋁散熱基板金屬化等射頻元件產業所需關鍵材料與技術,並應用於40W級Ku頻射頻功率放大器研製,並衍生相關專利與技術可供產業界運用。
姓名:許智超
電話:0930-999-495
地址:桃園市龍潭區佳安里6鄰中正路佳安段481號
展館別:創新領航館 半導體 IC10
所屬代表參展單位:國防部
主要應用領域:材料化工與奈米
高壓寬能隙元件於車載轉換器的應用技術
固態氧化物燃料電池技術與應用
內埋技術於5G高頻散熱元件的開發與應用
鋁金屬合金色彩圖案技術與應用
技術成熟度:實驗室階段
展示目的:研發成果展示
流通方式:自行洽談
*服務單位
*姓名
*Email
*洽商內容/需求
需求說明
敬請期待!
帳號
密碼