寬能隙元件技術與應用
寬能隙半導體材料具有抗輻射、耐高溫、高頻操作特性，能滿足高頻通訊應用對效率、功率密度、高溫操作要求。中科院執行政府科技專案，發展半絕緣碳化矽長晶、氮化鎵磊晶與元件製程、氮化鋁散熱基板金屬化等射頻元件產業所需關鍵材料與技術，並應用於40W級Ku頻射頻功率放大器研製，並衍生相關專利與技術可供產業界運用。
提升國防科技能力、建立自主國防工業、拓展國防及軍民通用技術。
姓名：許智超
電話：0930-999-495
地址：桃園市龍潭區佳安里6鄰中正路佳安段481號
展館別：創新領航館 2023半導體 IC10
所屬代表參展單位：國防部
主要應用領域：材料化工與奈米
高壓寬能隙元件於車載轉換器的應用技術
固態氧化物燃料電池技術與應用
鋁金屬合金色彩圖案技術與應用
化合物半導體及先進封裝技術開發與系統整合應用
技術成熟度：實驗室階段
展示目的：研發成果展示
流通方式：自行洽談
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