寬能隙半導體材料具有抗輻射、耐高溫、高頻操作特性，能滿足高頻通訊應用對效率、功率密度、高溫操作要求。中科院執行政府科技專案，發展半絕緣碳化矽長晶、氮化鎵磊晶與元件製程、氮化鋁散熱基板金屬化等射頻元件產業所需關鍵材料與技術，並應用於40W級Ku頻射頻功率放大器研製，並衍生相關專利與技術可供產業界運用。
提升國防科技能力、建立自主國防工業、拓展國防及軍民通用技術。
技術成熟度：實驗室階段
展示目的：研發成果展示
流通方式：自行洽談
*服務單位
*姓名
*電話
*您參觀這項展品的主要目的？
*您是否希望進一步洽談
*您的職務類別
*展覽整體評價
*最喜歡的展區
*期待展覽著重的技術領域
*是否願意收到電子報/最新資訊
其他建議
敬請期待!
