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ICeGaN® Power IC

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ICeGaN® Power IC

Technology Introduction:
• Technological Innovation – A monolithic chip integrates interface circuits to enable eGaN HEMTs to exhibit drive characteristics similar to those of MOSFETs, while retaining the fast switching performance and thermal advantages of enhancement-mode GaN.
• Competitive or Intellectual Property Advantages – Simplified gate driving—no need for external gate driver circuits or custom driver ICs.
The monolithic structure improves packaging yield and significantly reduces component count in power modules.
• Important Achievements / Awards – 2024 EE Awards Asia, 2024 WEAA Award

Cambridge GaN Device

A spin-out of the Cambridge University, Cambridge GaN Devices (CGD) is a fabless semiconductor company that develops a range of energy-efficient GaN-based power devices to make sustainable electronics possible. The global power semiconductor market is expected to exceed $50BN. In addition to the multi-million seed fund and Series A, B and now C private investments, CGD has so far successfully secured five projects funded by iUK, BEIS and EU (Penta). The technical and commercial expertise of the CGD team combined with an extensive track record in the power electronics market has been fundamental in early market traction of our proprietary technology.

聯絡人

  • 姓名:Dennis Hsu

  • 電話:02-86018308

  • 地址:-

Email

其他資訊

  • 展館別:創新經濟館 國際業者 GI14

  • 所屬代表參展單位:經濟部能源署

  • 主要應用領域:綠能與環境

位置 更多資訊

專利

  • US10818786

    • 專利名稱
    • 申請國家
    • 專利類別
    • 專利權人
    • 申請號
    • 公告號
    • 專利名稱

      III-V semiconductor device with integrated protection functions

    • 申請國家

      美國

    • 專利類別

      新型(TW)/實用新型(CN)/實用新案(JP)/Utility Model(US)

    • 專利權人

      Cambridge GaN Devices

    • 申請號

      16/405,671

    • 公告號

      US10818786

  • US11217687

    • 專利名稱
    • 申請國家
    • 專利類別
    • 專利權人
    • 申請號
    • 公告號
    • 專利名稱

      A power semiconductor device with a double gate structure

    • 申請國家

      美國

    • 專利類別

      新型(TW)/實用新型(CN)/實用新案(JP)/Utility Model(US)

    • 專利權人

      Cambridge GaN Devices

    • 申請號

      16/630321

    • 公告號

      US11217687

  • US11081578

    • 專利名稱
    • 申請國家
    • 專利類別
    • 專利權人
    • 申請號
    • 公告號
    • 專利名稱

      III-V depletion mode semiconductor device

    • 申請國家

      美國

    • 專利類別

      新型(TW)/實用新型(CN)/實用新案(JP)/Utility Model(US)

    • 專利權人

      Cambridge GaN Devices

    • 申請號

      16/405,457

    • 公告號

      US11081578

  • CN113826205B

    • 專利名稱
    • 申請國家
    • 專利類別
    • 專利權人
    • 申請號
    • 公告號
    • 專利名稱

      A Power Semiconductor Device with an Auxiliary Gate Structure

    • 申請國家

      歐盟

    • 專利類別

      新型(TW)/實用新型(CN)/實用新案(JP)/Utility Model(US)

    • 專利權人

      Cambridge GaN Devices

    • 申請號

      202080034026.1

    • 公告號

      CN113826205B

  • US11784637

    • 專利名稱
    • 申請國家
    • 專利類別
    • 專利權人
    • 申請號
    • 公告號
    • 專利名稱

      Edge Detection Circuit

    • 申請國家

      美國

    • 專利類別

      新型(TW)/實用新型(CN)/實用新案(JP)/Utility Model(US)

    • 專利權人

      Cambridge GaN Devices

    • 申請號

      17/740953

    • 公告號

      US11784637

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  • 技術成熟度:量產上市

  • 展示目的:商機推廣

  • 流通方式:自行洽談

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