"銅是半導體/微電子業最重要的導體。本技術使用電鍍<111>奈米雙晶銅，能提升電鍍銅的電性與機械性質，成為下一世代的銅接點的重要材料。能夠應用在兩種接點:
1. 低熱預算/低電阻銅對銅直接接合，是下一世代超高密度封裝技術，應用於高速計算晶片
2. 高強度/高韌性銅導線，應用於三維積體電路封裝敝實驗室製備具有高度(111)優選方向的奈米雙晶銅金屬膜。目前已可成功在一般真空環境(10-3 torr)下，以低溫(150 度)低壓(小於1MPa)進行銅-銅接合，接合可在60分鐘內完成。
由於雙晶本身具有阻擋差排(dislocation)移動的功能，在我們的研究中強度可以是一般電鍍銅的2至3倍。低溫低壓的銅銅接合技術是下一世代高階產品封裝技術。高強度導線能應用於3D IC integration 的銅導線。 此技術獲得台積電、聯發科、應用材料、科林研發的高度關注，有計畫共同開發應用。同時也引起美國Apple 公司的注意，目前正在洽談合作計畫中"