本展件為組合三合一晶片，結合整合控制器、驅動器、GaN HEMT為本公司創新研發技術
其優勢具備高壓啟動Startup FET、控制器(控制與驅動)、HEMT
同時支援二次側控制、最小EMI、調整式Driver可保護HEMT
與GaN HEMT公司 GaN System密切合作 取得內部參數，
透過本晶片應用於65瓦適配器，可將系統簡潔並減少外部元件15％，
使PCB縮小30％，採用較少有較低零件成本、較高可靠度、
較佳保護之優勢協助其發揮優勢，且輸出驅動能力 Rising/Fall time 5ns/5ns 全球同比最佳。

線上展網址：
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