首頁 展示資訊 展品查詢

高功率密度電源供應器之新世代氮化鎵組合三合一晶片

回上一頁

高功率密度電源供應器之新世代氮化鎵組合三合一晶片

本展件為組合三合一晶片,結合整合控制器、驅動器、GaN HEMT為本公司創新研發技術
其優勢具備高壓啟動Startup FET、控制器(控制與驅動)、HEMT
同時支援二次側控制、最小EMI、調整式Driver可保護HEMT
與GaN HEMT公司 GaN System密切合作 取得內部參數,
透過本晶片應用於65瓦適配器,可將系統簡潔並減少外部元件15%,
使PCB縮小30%,採用較少有較低零件成本、較高可靠度、
較佳保護之優勢協助其發揮優勢,且輸出驅動能力 Rising/Fall time 5ns/5ns 全球同比最佳。

強弦科技股份有限公司

強弦科技為智慧型功率控制晶片設計公司,專注於先進技術研發,採用高壓製程同時兼具數位控制與即時保護等功能,致力於減少客戶系統成本與提高功因效率。 近年來,強弦科技與多家國際大廠在GaN HEMT、智慧型電源與 USB-PD等方面進行技術合作,提供電源系統優化方案。我們的目標是成為電源管理控制領域的領導者,提供最佳系統組合方案及技術服務,創造全球電源產業的新趨勢。

聯絡人

  • 姓名:賴致廷

  • 電話:03-5712300

  • 地址:300043 新竹市東區公道五路二段326號

Email

其他資訊

  • 展館別:創新領航館 智慧生活

  • 所屬代表參展單位:經濟部產業發展署

  • 主要應用領域:資訊與通訊

位置 更多資訊

相關網站連結

  • 技術成熟度:量產上市

  • 展示目的:可交易技術、商機推廣、研發成果展示

  • 流通方式:專利授權/讓與

詢問

*服務單位

*姓名

*Email

*洽商內容/需求

需求說明

洽商單

*服務單位

*姓名

*Email

*電話

*您參觀這項展品的主要目的?

*您是否希望進一步洽談




*您的職務類別







*展覽整體評價

*最喜歡的展區

*期待展覽著重的技術領域

*是否願意收到電子報/最新資訊


其他建議

敬請期待!

TOP

會員登入

帳號

密碼

忘記密碼