精細間距晶圓對晶圓混合鍵接合技術利用銅對銅混合鍵接合，實現高密度、高容量、高性能、低功耗、低延遲、大尺寸的DRAM堆疊封裝。Cu/Oxide混合鍵接合以1.06 MPa、150℃、1小時低溫接合，達到線寬/線距2μm目標，突破先進封裝技術瓶頸。
工業技術研究院是國際級的應用研究機構，擁有六千位研發尖兵，以科技研發，帶動產業發展，創造經濟價值，增進社會福祉為任務。自1973年成立以來，率先投入積體電路的研發，並孕育新興科技產業；累積近三萬件專利，並新創及育成，包括台積電、聯電、台灣光罩、晶元光電、盟立自動化、台生材等上市櫃公司，帶動一波波產業發展。
技術成熟度：雛型
展示目的：研發成果展示
流通方式：自行洽談
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