技術簡介:
以100 奈米成熟製程取代16奈米以下先進製程，成功整合鍺基p-FET與氧化銦基n-FET之奈米級厚度通道，實現2M NAND/mm²技術，並朝向20M NAND/mm² (80M Trs/mm²)目標邁進。此外，首創高性能InWSnO電晶體，具極高開關比與低SS值，展現應用於AI與HPC晶片潛力。
產業應用性:
以成熟製程取代先進製程，實現三維異質元件整合，達成領先全球之電晶體密集度水準(8M Trs/mm²邏輯電路)，可應用於AI與高效能運算晶片製作潛力。已獲美國與台灣發明專利，具高度商品化價值。本團隊亦首創氧化銦鎢錫薄膜電晶體技術，兼具優異電性與製程相容性，為推進先進3D-IC技術之核心基礎。
國立陽明交通大學（NYCU）於2021年由國立陽明大學與國立交通大學合併而成，位於新竹市。學校擁有強大的科技、工程、醫學及社會科學領域，並在資訊技術、生物醫學、人工智慧等領域具有卓越的研究實力。國立陽明交通大學致力於跨領域合作與創新，並培養具全球視野的專業人才，積極應對社會挑戰與推動科技發展，為學術界和產業界作出重要貢獻。
TWI805116B
技術成熟度：其他
展示目的：研發成果展示
流通方式：自行洽談
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