技術簡介:
本技術以磷離子植入未摻雜Ga₂O₃，在適當之植入能量與磷離子密度後，經熱處理，得以達到p-Ga₂O₃，經霍爾量測之結果可以證實為p-Ga₂O₃，在p-Ga₂O₃磊晶上成長n-type Ga₂O₃，得以實現水平之同質接面PN二極體。以上此些作法證實p型Ga₂O₃得以以磷離子植入未摻雜Ga₂O₃來實現。
產業應用性:
P-type Ga₂O₃可以大幅擴展Ga₂O₃元件的種類，提升元件崩潰電壓，因此可以使用在更高電壓的PN二極體， PMOSFET, CMOSFET，深紫外光或x-Ray感測器等產品或設施上，亦可用於軍事武器中。
國立陽明交通大學（NYCU）於2021年由國立陽明大學與國立交通大學合併而成，位於新竹市。學校擁有強大的科技、工程、醫學及社會科學領域，並在資訊技術、生物醫學、人工智慧等領域具有卓越的研究實力。國立陽明交通大學致力於跨領域合作與創新，並培養具全球視野的專業人才，積極應對社會挑戰與推動科技發展，為學術界和產業界作出重要貢獻。
技術成熟度：其他
展示目的：研發成果展示
流通方式：自行洽談
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