●技術說明：
dFuse OTP之技術簡介:1.為首次發現的創新技術與傳統上OTP的anti-Fuse, eFuse, 和charge-storage儲存機制完全不同;2.具備完整的專利保護;3.與CMOS製程完全相容且不需額外光罩;3.面積更小成本更低;3.已在台灣前兩大foundries試量產成功.
●技術之科學突破性：
dFuse OTP之技術突破:１.操作電壓<3V; 2.編程速度<1 微秒; 3. 讀取速度<20 奈秒; 3.記憶窗口>十萬倍; 4.編程電壓與環境溫度無關; 5.可在150度C中使用超過10年; 6.實作40/28nm OTP晶片成功; 7. BER~0％.
●技術之產業應用性：
dFuse-OTP PUFs產業應用性:1.5G-AIOT潛藏巨大資安危機;2.資安已列國家支持產業;3.PUF是資安產業核心硬體關鍵部位;4.OTP-PUF是市場上效能最好且成本最低; 4.40nm dFuse-OTP PUF的馬賽克圖,intra-HD,inter-HD,HW特性均超出業界標準.

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