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用於光達系統擁有高單光子偵測效率和高飽和電流特性的雙層累增層設計累增崩潰光二極體

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用於光達系統擁有高單光子偵測效率和高飽和電流特性的雙層累增層設計累增崩潰光二極體

●技術說明:
我們展示了一種 In0.52Al0.48As 的累增崩潰光二極體,透過雙層累增層的設計配合蝕刻平台型結構,讓我們得以擁有極高的單光子偵測效率與極短的時基誤差,同時擁有極高的飽和電流與極高的光輸出功率等特性。我們的累增崩潰光二極體元件展示出優秀的性能,可同時應用於時域飛行與調頻連續波光學雷達中。
●技術之科學突破性:
此元件可達到世界紀錄高 (61.4%) 的單光子偵測效率與最窄的時基誤差 (65ps) 。此特性用於ToF lidar 可以大幅提升其靈敏度和解析度。
此外,此元件亦可擁有高飽和電流 (>12mA)與響應度 (7A/W)。此特性用於FMCW lidar 可以大幅提升其靈敏度並節省光功率。
●技術之產業應用性:
此元件操作在蓋格模式並用於時域飛行光達可以大幅提升其靈敏度和解析度。同時透過將元件操作在線性模式,元件亦可擁有高增益頻寬積(450GHz)和高飽和電流 (>12 mA)與+6.95 dBm的高輸出射頻功率。此特性用於調頻連續波光達可以大幅提升其靈敏度並節省光功率。

線上展網址:
https://tievirtual.twtm.com.tw/iframe/fb3becba-9752-4ea7-8652-38b43a70bfa4?group=23bfb1fa-dd5b-4836-81a1-4a1809b1bae5&lang=tw

聯絡人

  • 姓名:許晉瑋

  • 電話:03-422-7151分機34466

  • 地址:(32001)桃園市中壢區中大路300號

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其他資訊

  • 展館別:未來科技館 半導體專區

  • 所屬代表參展單位:國家科學及技術委員會

  • 主要應用領域:電子與光電

位置 更多資訊

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  • 技術成熟度:實驗室階段

  • 展示目的:商機推廣、研發成果展示

  • 流通方式:專利授權/讓與、自行洽談

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