3D IC是實現更低延遲、高速之晶片立體堆疊封裝製程,工研院量測中心以全球首創的高深寬比(>30)矽穿孔(Through Silicon Via,TSV)檢測技術,有別於傳統光學檢測技術僅能達到深寬比10,解決目前業界在高深寬比矽穿孔僅能採用破壞式檢測的問題。
測試
技術成熟度:試量產
展示目的:商機推廣、研發成果展示
流通方式:專利授權/讓與
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