雲計算、AI人工智慧、5G、自駕車等產業快速發展，對高速和低功耗節能記憶體需求大增。全球相變SRAM與儲存級記憶體(SCM)，2030年產值達50.6億美元，複合年增率為20.2%(2017~2030)(Dataintelo)。全球ALD設備市場，2028年將達62億美元，複合年增率為10%(MarketsandMarkets report)。現有PVD和PECVD設備無法滿足深寬比AR>10 3D結構元件多成份薄膜沉積要求，使次世代半導體製程受到極大挑戰。首創雙向流複合離散式脈衝注入原子層沉積，突破前驅物難以深入孔隙的限制，達成3D結構表底層均勻披覆，實現高深寬比多成份保形立體結構披覆奈米膜層沉積。並開發抗振相位調變光譜橢偏儀，採複數離散波長同步量測，鎖相檢測降低雜訊，獲得高SN信噪比，膜厚量測鑑別率≤1nm，實現高速(取樣速度~10 kHz) 抗振即時膜厚量測。以及成功開發多重單元(Multi-cell) 3D記憶體多成份元件製程與驗證，攻克半導體製程整合難關。本技術可應用於次世代IC產業所需高速低功耗的記憶體製程，不但可取代進口，亦打破目前前段設備進口壟斷，提升國內市佔率。國內外專利獲證，突破國際專利技術封鎖，榮獲2023 年全球百大科技研發獎與工研院傑出研究獎。技轉國內設備專業廠商共同合作生產，未來導入半導體製造廠應用，提升設備國產化自主開發能量，補足半導體產業前段製程鍍膜設備技術缺口，提升國內設備國產化技術與自製率，為次世代鍍膜設備供應鏈提供有力支援。2023年參加過SEMICON Taiwan 2023國際半導體展與2023 RD100獲獎記者會展覽。