本發明超晶格磁阻式記憶體SS-MRAM，主要使用人造超晶格材料做為勢壘層。SS-MRAM集聚SRAM、 DRAM與Flash之優點，包含高速讀寫、低讀寫耗能、高耐久性、元件尺寸小、非揮發性、無漏電、及零待機耗能等。並且具有與目前製程相容、製造容易、及高可靠性等特性。為一具有超高性能之下世代記憶體。我們提出一種SS-MRAM，使用超晶格材料做為勢壘層，超晶格是以穩定的絕緣材料與金屬組成之人造超材料。此超晶格能提供比目前單晶MgO(001)更高的電子自旋極化效率。與目前的MRAM比較，此記憶體能具有讀寫耗電低、讀寫速度快、元件尺寸小、與目前製程相容、製造容易、構造簡單、及可靠性高等優點。SS-MRAM可應用於嵌入式及獨立式記憶體，主要應用在物聯網、微控制器、機器學習、人工智慧、能源、醫療、汽車、航太、自動化和智慧工廠等。SS-MRAM兼具SRAM、DRAM及Flash的優點，未來可能取代SRAM、 DRAM及Flash記憶體，競逐年產值約1000億美元的記憶體市場。