一千七百伏特等級之碳化矽垂直雙離子植入金氧半場效應電晶體
團隊提出降低垂直雙離子植入金氧半場效應電晶體的特徵導通電阻技術，包括通道區域製程優化、通道與源極自動對準、下沈式源極接觸等，成功降低VDMOSFET的特徵導通電阻，提高巴利加品質因數(BFOM)，優於現有同類型產品及已發表的文獻，並有持續縮小單元間距的優勢。
學研單位
姓名：崔秉鉞
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展館別：未來科技館 2023半導體 FB21
所屬代表參展單位：國家科學及技術委員會
主要應用領域：電子與光電、綠能與環境
碳化矽溝槽式金氧半屏障蕭基二極體
高遷移率材料、製程、多層疊元件及熱電路模型；鐵電鉿基氧化物之負電容特性研究及相關應用；先進原子層材料與模組技術
碳化矽互補式金氧半場效應電晶體積體電路與高功率電晶體整合技術
碳化矽超接面金氧半場效電晶體製程技術
技術成熟度：雛型
展示目的：研發成果展示、可交易技術
流通方式：自行洽談、技術授權/合作
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