一千七百伏特等級之碳化矽垂直雙離子植入金氧半場效應電晶體
團隊提出降低垂直雙離子植入金氧半場效應電晶體的特徵導通電阻技術，包括通道區域製程優化、通道與源極自動對準、下沈式源極接觸等，成功降低VDMOSFET的特徵導通電阻，提高巴利加品質因數(BFOM)，優於現有同類型產品及已發表的文獻，並有持續縮小單元間距的優勢。
學研單位
姓名：崔秉鉞
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展館別：未來科技館 半導體 FB21
所屬代表參展單位：國科會
主要應用領域：電子與光電、綠能與環境
實現氫能社會，前瞻三維非對稱過渡金屬硫族化合物催化材料應用於高效率電化學綠氨製造
三維原子級電子斷層掃描技術在前瞻半導體元件的應用
碳化矽溝槽式金氧半屏障蕭基二極體
再生碳化矽粉體技術應用-4"碳化矽晶圓承載盤
技術成熟度：雛型
展示目的：研發成果展示、可交易技術
流通方式：自行洽談、技術授權/合作
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