碳化矽溝槽式金氧半屏障蕭基二極體
碳化矽溝槽式金氧半屏障蕭基(TMBS)二極體相較其他傳統碳化矽二極體具有低導通電壓、低反向漏電流等優點，同時可與溝槽式閘極金氧半場效電晶體整合作為內建反向二極體使用，提升系統運作效能並降低成本。此次預計展示之元件規格為額定電壓1.7 kV、反向電流IR < 100 μA 、導通電流IF > 2A、特徵導通電組11.8 mΩcm2。
學研單位
姓名：黃智方
電話：
地址：新竹市東區光復路二段101號
展館別：未來科技館 半導體 FB21
所屬代表參展單位：國科會
主要應用領域：材料化工與奈米、電子與光電
一千七百伏特等級之碳化矽垂直雙離子植入金氧半場效應電晶體
碳化矽互補式金氧半場效應電晶體積體電路與高功率電晶體整合技術
碳化矽超接面金氧半場效電晶體製程技術
用於光達系統擁有高單光子偵測效率和高飽和電流特性的雙層累增層設計累增崩潰光二極體
技術成熟度：雛型
展示目的：研發成果展示
流通方式：自行洽談
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