本計畫使用多層磊晶和高能量離子佈植技術成功的開發出碳化矽超接面高功率金氧半場效電晶體，突破導通電阻及崩潰電壓間的物理極限，降低導通電阻；同時，將碳化矽材料的高電場強度和低漏電流特性在電晶體內發揮出來。因此，本計畫開發的碳化矽超接面高功率金氧半場效電晶體，可以提高系統的效率、降低功率損失、體積和重量。本計畫開發的碳化矽超接面高功率金氧半場效電晶體，在結構上打破了傳統結構的物理極限，有效的降低導通阻值；在製程上，克服碳化矽材料擴散係數差的缺陷，成功的利用多層磊晶技術植入P型柱在N型飄移區內，形成超接面結構。順利將碳化矽超接面金氧半場效電晶體完成。碳化矽二極體用在功因校正器上，體積重量減少約40%；碳化矽電能處理器用在電車上，功率損失減少36%；用在N700S新幹線上，重量減少11公噸；Tesla Model 3電動車也用碳化矽產品增加續航力和壽命。Yole Development統計碳化矽元件年產值達到22億美金，年複合成長率達到40％。