●技術簡介：
GaN HEMT應用的新發現，匹配線圈耦合係數與並聯RLC諧振品質因數時，功率接收器到發射器的電壓增益會隨著距離增加，實驗中使用氮化鎵開關的E類放大器頻率控制銅線圈電流，可在50公分的距離以超過65％的效率傳輸50W，低寄生電容與高頻的GaN HEMT使發射線圈於相同磁通量中感應出更高的電壓。
●技術之科學突破性：
本研究完成了諧振品質因數與耦合係數之間的關係，設計開發了Sterling Cooler冷卻設備，將線圈降溫至100K，以獲得較低的線圈電阻，提高無線充電接收功率，在6.78或13.56 MHz的頻率下，我們運用GaN HEMT電晶體，未來可以50公分的距離接收10kW等級功率。
●技術之產業應用性：
本研究推導諧振品質因數與耦合係數間的關係，設計開發了Sterling Cooler冷卻設備，將線圈降溫至100K，運用GaN HEMT電晶體，在電動車充電用途提供10kW功率。另一重點是WPT系統為飛行無人機提供動力，飛行無人機中要求緊湊而輕便，保持與負載和環境波動一致的諧振條件是無線充電的關鍵。